Role of point defects on B diffusion in Ge

Articolo
Data di Pubblicazione:
2012
Abstract:
[object Object]
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Keywords:
Boron; Diffusion; Germanium; Ion implantation; Point-defects
Elenco autori:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/250229
Pubblicato in:
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
Journal