Compositional and optical uniformity of InGaN layers deposited on (0001) sapphire by metal-organic vapour phase epitaxy

Articolo
Data di Pubblicazione:
2004
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/435707
Pubblicato in:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY (PRINT)
Journal