A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf)
Articolo
Data di Pubblicazione:
2013
Abstract:
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Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Fanciulli, Marco; Cianci, Elena; Lamperti, Alessio; Molle, Alessandro; Wiemer, Claudia; Spiga, Sabina
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Pubblicato in: