A new self consistent model for the analysis of hot-carrier induced degradation in lightly doped drain (LDD) and gate overlapped LDD polysilicon TFTS.

Articolo
Data di Pubblicazione:
2003
Abstract:
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/22640