Analysis of electrical characteristics of gate overlapped lightly doped drain (GOLDD) polysilicon thin film transistors with different LDD doping concentration.
Articolo
Data di Pubblicazione:
2003
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Mariucci, Luigi; Pecora, Alessandro; Fortunato, Guglielmo
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