ION CHANNELING ANALYSIS OF EXTENDED-DEFECT ANNEALING IN SILICON BY RAPID THERMAL-PROCESSES

Articolo
Data di Pubblicazione:
1990
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/19372
Pubblicato in:
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION B, BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
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