AlN and GaN epitaxial heterojunctions on 6H-SiC (0001): Valence band offsets and polarization fields

Articolo
Data di Pubblicazione:
1999
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/130919
Pubblicato in:
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY. B
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