Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC

Dispositivi MOSFET fabbricati su 4H SiC con un processo innovativo basato su un impianto di azoto nella regione di canale prima dell'ossidazione di gate. La presenza dell'azoto all'interfaccia ossido-SiC riduce sensibilmente la densità di stati interfacciali ed aumenta conseguentemente la mobilità degli elettroni nel canale.