Sensori MOX a bassissimo consumo

Con l'ausilio di tecniche di bulk micromachining del silicio dal fronte per la fabbricazione di substrati termoriscaldanti di ridottissime dimensioni e di un processo a livello wafer di deposizione di film nanostrutturati di ossidi metallici semiconduttori sono stati realizzati sensori MOX a bassissimo consumo. Un singolo sensore necessita soli 8mW per raggiungere la temperatura operativa di 400°C, ed è in grado di rilevare concentrazioni di benzene dell'ordine di alcune parti per miliardo (ppb). I sensori basati su questa tecnologia sono stati sviluppati per essere compatibili con tecniche di bonding su substrato flessibile e modalità di funzionamento in pulsata, ed hanno permesso di realizzare prototipi di tag RFID dotati di sensori chimici.