Diodi Schottky di potenza (600 V / 4-8 A) in SiC

Altro Prodotto di Ricerca
Data di Pubblicazione:
2004
Abstract:
Diodi Schottky di potenza con particolari caratteristiche di affidabilità, bassa Vf e leakage particolarmente basso in grado di competere con le soluzioni proposte da industrie concorrenti di altri paesi.
Tipologia CRIS:
05.12 Altro
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/195663