Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura
Other Research Product
Publication Date:
2010
abstract:
Il processo include un metodo per la formazione di uno strato protettivo sulla superficie del SiC compatibile con i processi standard e della sua rimozione senza alterare le caratteristiche elettriche della superficie.
Iris type:
05.12 Altro
Keywords:
capping layer; SiC
List of contributors: