Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura
Altro Prodotto di Ricerca
Data di Pubblicazione:
2010
Abstract:
Il processo include un metodo per la formazione di uno strato protettivo sulla superficie del SiC compatibile con i processi standard e della sua rimozione senza alterare le caratteristiche elettriche della superficie.
Tipologia CRIS:
05.12 Altro
Keywords:
capping layer; SiC
Elenco autori:
Raineri, Vito; Roccaforte, Fabrizio; DI FRANCO, Salvatore
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