Effects of the growth rate on the quality of 4H silicon carbide films for MOSFET applications

Articolo
Data di Pubblicazione:
2014
Abstract:
[object Object]
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Keywords:
Density of interface state traps; Growth rate; Surface morphology
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/279524
Pubblicato in:
MATERIALS SCIENCE FORUM
Series