Processing-Induced Electrically Active Defects in Black Silicon Nanowire Devices

In questo articolo si presentano i risultati di uno studio su nano-fili di Silicio (Si NWs), strutture potenzialmente molto interessanti per applicazioni nello sviluppo di dispositivi per la conversione e lo stoccaggio energetico. In particolare, si analizzano le caratteristiche di Black Si NWs ottenuti per deep reactive ion etching del silicio utilizzando la tecnica DLTS.