CL and Dark Field TEM Analysis of Composition Change at Interfaces in InGaP/GaAs Junctions Grown by MOCVD

Abstract
Data di Pubblicazione:
2010
Tipologia CRIS:
04.02 Abstract in Atti di convegno
Keywords:
TEM; InGaP/GaAs; Interface
Elenco autori:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/99702