Extended characterization of the stress fields in the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on silicon for sensors and device applications
Articolo
Data di Pubblicazione:
2012
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Anzalone, Ruggero; Camarda, Massimo; Piluso, Nicolo'; LA MAGNA, Antonino; LA VIA, Francesco
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