Méthodes d'analyse par rayons X en incidence rasante et études de l'ordre local dans des nanostructures de semiconducteurs obtenues par épitaxie.

Ce mémoire représente une partie de mon travail conduit à l'European Synchrotron Radiation Facility (ESRF) au sujet de la caractérisation des surfaces des matériaux par les techniques de rayons X. Le Ch. 1 est consacré à la description de la technique de l'incidence rasante et des pro-blèmes experimentaux et instrumentaux liés à cette méthode. Une partie importante de notre travail sur la ligne de lumière synchrotron GILDA a été consacrée à la mise en oeuvre et à la gestion de la chambre pour l'acquisition des spectres de S pectroscopie d'Absorption de rayons X (XAS) en réectivité (ReEXAFS). Au sujet de la diffusion des rayons X, nous avons étudié le problème de l'optimisation de l'acquisition des don-nées sur des matériaux obtenus par implantation ionique. Le Ch. 2 est consacré au lien entre les propriétés élastiques macroscopiques des maté-riaux semiconducteurs et leur structure microscopique. Nous avons developpé une mé-thode analytique, détaillée en Sec. 2.1.2, qui permet de calculer les distances atomiques entre les diérentes composantes d'une couche d'alliage soumise à une contrainte. Nous avons utilisé la technique XAS dans l'étude des boîtes quantiques de GaN sur AlN (0001), sur des couches épaisses d'alliages de GaAsxN1-x sur GaAs, sur des boîtes quantiques de InxGa1-xAs sur GaAs.