Determination of the impact of Bi content on the valence band energy of GaAsBi using x-ray photoelectron spectroscopy
Articolo
Data di Pubblicazione:
2017
Abstract:
We investigate the change of the valence band energy of GaAs1-xBix (0
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Keywords:
InGaN; lasers; semiconductors
Elenco autori:
Losurdo, Maria
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