Dislocations in Si-Doped LEC GaAs Revisited: a Spectrum Image Cathodoluminescence Study

Abstract
Data di Pubblicazione:
2009
Tipologia CRIS:
04.02 Abstract in Atti di convegno
Keywords:
GaAs; Dislocations; Impurity; Cathodoluminescence
Elenco autori:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/99322