Study of the effects of growth rate, miscut direction and postgrowth argon annealing on the surface morphology of homoepitaxially grown 4H silicon carbide films
Articolo
Data di Pubblicazione:
2013
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Camarda, Massimo; LA MAGNA, Antonino; LA VIA, Francesco; Fiorenza, Patrick; Privitera, STEFANIA MARIA SERENA
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