Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3
Articolo
Data di Pubblicazione:
2015
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Keywords:
4H-SiC; Post-Oxidadion Annealing; Scanning Capacitance Microscopy; Scanning Spreading Resistance Microscopy; [object Object
Elenco autori:
Vivona, Marilena; Bongiorno, Corrado; Roccaforte, Fabrizio; Giannazzo, Filippo; DI FRANCO, Salvatore; Fiorenza, Patrick
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