Growth kinetics of a displacement field in hydrogen implanted single crystalline silicon

Articolo
Data di Pubblicazione:
1998
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Keywords:
ROCKING-CURVE ANALYSIS; ANNEALING TREATMENTS; DEFECTS
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/212960
Pubblicato in:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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