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Thermal annealing effects on the interface state density of MOS capacitors with ECR-PECVD SiO2
Contributo in Atti di convegno
Data di Pubblicazione:
2006
Tipologia CRIS:
04.01 Contributo in Atti di convegno
Elenco autori:
Pecora, Alessandro; Fortunato, Guglielmo
Autori di Ateneo:
PECORA ALESSANDRO
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/76008
