Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs
Articolo
Data di Pubblicazione:
2010
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Poggi, Antonella; Armigliato, Aldo; Moscatelli, Francesco; Nipoti, Roberta; Solmi, Sandro
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