Effect of Dopant Concentration on High Voltage 4H-SiC Schottky Diodes

Articolo
Data di Pubblicazione:
2006
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/431203