Hot-carrier induced degradation of Gate Overlapped Lightly Doped Drain (GOLDD) polysilicon thin-film transistors

Articolo
Data di Pubblicazione:
2002
Abstract:
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/47142
Pubblicato in:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
Journal