Data di Pubblicazione:
2000
Abstract:
Al/InxGa1-xAs(001) diodes incorporating Si bilayers deposited under As or Al flux were fabricated by molecular-beam epitaxy on GaAs(001) wafers for 0.2
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Franciosi, Alfonso; Sorba, Lucia; Lazzarino, Marco; Rubini, Silvia
Link alla scheda completa:
Pubblicato in: