Ohmic versus rectifying contacts through interfacial dipoles: Al/InxGa1-xAs

Articolo
Data di Pubblicazione:
1999
Abstract:
The Schottky barrier height at Al/n-InxGa1-xAs contacts (0.19
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/6836
Pubblicato in:
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Journal