Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature

Poster
Data di Pubblicazione:
2004
Tipologia CRIS:
04.03 Poster in Atti di convegno
Keywords:
4H-SiC; ion implantation; annealing; p+/n junction diode
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/86696