Ion implantation p+/n diodes: post-implantation annealing in a Silane ambient in a cold-wall low pressure CVD reactor

Poster
Data di Pubblicazione:
2005
Tipologia CRIS:
04.03 Poster in Atti di convegno
Keywords:
wide band gap materials; SiC; post implantation annealing
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/86691