MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions

Poster
Data di Pubblicazione:
2007
Tipologia CRIS:
04.03 Poster in Atti di convegno
Keywords:
wide band gap semiconductor; 4H-SiC; electronic device; MOS; SiO2/SiC interface state density
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/86688