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  1. Pubblicazioni

Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation

Poster
Data di Pubblicazione:
2007
Tipologia CRIS:
04.03 Poster in Atti di convegno
Keywords:
wide band gap semiconductor; 4H-SiC; electronic device; MOSFET; channel mobility
Elenco autori:
Moscatelli, Francesco; Poggi, Antonella; Cristiani, Stefano; Sanmartin, Michele; Nipoti, Roberta; Solmi, Sandro
Autori di Ateneo:
CRISTIANI STEFANO
MOSCATELLI FRANCESCO
POGGI ANTONELLA
SANMARTIN MICHELE
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/86687
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