Data di Pubblicazione:
2004
Abstract:
We have realized Si nanocrystal memory cells in which the Si dots have been deposited by CVD on SiO2 and then covered by a CVD control oxide. In this paper, we report a study on the potential of these cells for dual bit storage.
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Corso, Domenico; Lombardo, SALVATORE ANTONINO; Crupi, Isodiana
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