Migration and interaction of point defects at room temperature in crystalline silicon

Articolo
Data di Pubblicazione:
1998
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Keywords:
TRANSIENT BORON-DIFFUSION; MEV IMPLANTED SI; IRRADIATED SILICON; MOLECULAR-DYNAMICS; DOPANT DIFFUSION; SELF-DIFFUSION; DEPTH PROFILES; VACANCY-TYPE; INTERSTITIALS
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/4417
Pubblicato in:
LA RIVISTA DEL NUOVO CIMENTO DELLA SOCIETÀ ITALIANA DI FISICA (TESTO STAMP.)
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