LOW-TEMPERATURE EQUILIBRIA OF POINT-DEFECTS INDUCED BY CONVENTIONAL AND RAPID THERMAL ANNEALING IN CZ SILICON

Abstract
Data di Pubblicazione:
1987
Tipologia CRIS:
04.02 Abstract in Atti di convegno
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/237132
Titolo del libro:
Proc.of the First International Symposium on ULSI Science and Technology "ULSI Science and Technology 1987",