EFFECT OF PASSIVATING OXIDES ON THE SURFACE RECOMBINATION VELOCITY IN SILICON

Articolo
Data di Pubblicazione:
1989
Tipologia CRIS:
01.04 Nota a sentenza
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/237120
Pubblicato in:
PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
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