Roles of local He concentration and Si sample orientation on cavity growth in amorphous silicon

Articolo
Data di Pubblicazione:
2011
Abstract:
[object Object]
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Keywords:
Amorphous silicon; Cavities; Ion; Positron annihilation; Recrystallisation; Transmission electron microscopy
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/307106
Pubblicato in:
PHILOSOPHICAL MAGAZINE (2003, PRINT)
Journal