MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation

Contributo in Atti di convegno
Data di Pubblicazione:
2003
Tipologia CRIS:
04.01 Contributo in Atti di convegno
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/158947