4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6

Articolo
Data di Pubblicazione:
2014
Abstract:
[object Object]
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Keywords:
150 mm substrate; 4H-SiC; 6 inch; ACISWR; Automatic; Epitaxy; Horizontal; Hot wall; PE1O6; Reactor; Trichlorosilane
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/273752
Pubblicato in:
MATERIALS SCIENCE FORUM
Series