Quantitative explanation of gas pressure differences due to etching of a-Si:H layers in NF3 plasma

Contributo in Atti di convegno
Data di Pubblicazione:
1994
Tipologia CRIS:
04.01 Contributo in Atti di convegno
Elenco autori:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/116740
Titolo del libro:
XIIth Europhysics Sectional Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG-XII)