Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO2 Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer
Articolo
Data di Pubblicazione:
2009
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Poggi, Antonella; Moscatelli, Francesco; Nipoti, Roberta; Solmi, Sandro
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