Relationship between V/III ratio and formation of defects in MOCVD grown (001) GaAs/Ge heterostructures
Abstract
Data di Pubblicazione:
1993
Tipologia CRIS:
04.02 Abstract in Atti di convegno
Keywords:
GaAs/Ge; planar defects; TEM; MOVPE; V/III ratio
Elenco autori:
Attolini, Giovanni; Frigeri, Cesare; Pelosi, Claudio
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Titolo del libro:
Abstract book