Dependence of the defect structure of InxGa1-xAs/InP epilayers on the In/Ga ratio in the vapour phase
Contributo in Atti di convegno
Data di Pubblicazione:
1991
Tipologia CRIS:
04.01 Contributo in Atti di convegno
Keywords:
InGaAs; InP; VPE growth
Elenco autori:
Attolini, Giovanni; Frigeri, Cesare; Pelosi, Claudio
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Titolo del libro:
Epitaxial Crystal Growth, Part 2