Recrystallization of strained GexSi1-x/Si layers with various Ge gradients and in the presence of impurities
Articolo
Data di Pubblicazione:
1994
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Keywords:
SOLID-PHASE EPITAXY; ION-IMPLANTATION; SI ALLOYS; REGROWTH; KINETICS
Elenco autori:
Balboni, Roberto
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