Depth profiles and damage annealing of 1.06 MeV As++ implanted in silicon

Articolo
Data di Pubblicazione:
1989
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/182254
Pubblicato in:
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
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