Data di Pubblicazione:
2008
Abstract:
Si tratta di MOSFET verticali in SiC con epitassia di 8 microns e struttura a celle. Il dispositivo lavora a 1200 V ed ha una mobilità di canale max di 10 cm2/Vs
Tipologia CRIS:
05.12 Altro
Elenco autori:
Raineri, Vito; Roccaforte, Fabrizio; Giannazzo, Filippo
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