Codice Montecarlo per la simulazione della crescita del SiC (3C e 4H)

Con questo codice è possibile simulare la crescita epitasiale del SiC al variare di diversi parametri di crescita (temperatura, growth rate) e del substrato (orientazione, angolo di taglio, ...). Possono essere inoltre introdotti diversi tipi di difetti cristallografici e vedere la loro stabilità nelle condizioni di processo utilizzate. Possono essere inoltre studiati gli effetti dei parametri di processo sulla struttura della superficie.