Analytical prediction of the cross-over point in the temperature coefficient of the forward characteristics of 4H-SiC p+-i-n diodes
Poster
Data di Pubblicazione:
2014
Tipologia CRIS:
04.03 Poster in Atti di convegno
Keywords:
4H-SiC; p-i-n vertrical diodes; simulation
Elenco autori:
Nipoti, Roberta
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