In depth analysis of channel length, fin width (down to 10 nm) impacts on Fowler-Nordheim program/erase characteristics of Si-NC SOI FinFlash memories

Contributo in Atti di convegno
Data di Pubblicazione:
2007
Tipologia CRIS:
04.01 Contributo in Atti di convegno
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/69281