Curvature and stress analysis in 3C-SiC layers grown on (001) and (111) Si substrates

Poster
Data di Pubblicazione:
2010
Tipologia CRIS:
04.03 Poster in Atti di convegno
Keywords:
SiC; growth stress; curvature; VPE
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/99359